импульса мощности; Tj нач температура кристалла непосредственно перед подачей импульса мощности. Определение
при подаче прямоугольного импульса испытательной мощности Рс, где Tj кон температура кристалла, достигнутая к концу
Принцип измерения теплового сопротивления основан на определении величины температуры перегрева кристалла ΔTj = Tj кон Tj нач
Оценка качества присоединения кристаллов осуществлялась: визуально с использованием микроскопа (трещины, сколы, смещения и т. п.); контролем прочности соединения приложением сдвигающего усилия к кристаллу. Сборка приборов осуществлялась в соответствии с технологическим процессом, после чего проводился контроль и разбраковка приборов по электрическим и тепловым параметрам: сопротивление сток исток Rсu, остаточный ток стока Iс.ост, тепловое сопротивление «p-n-переход корпус» Rmnк. Проведены испытания на безотказность изделий в течение 500 часов с замером параметров после 100 часов и на термоциклическое воздействие при Т = 196...+200 `С, число циклов N = 100, замер параметров через каждые 10 циклов.
Для исследования различных методов монтажа кристаллов выбраны три равные группы пластин кристаллов из одной диффузионной партии. В зависимости от способа монтажа, на обратную сторону пластин каждой группы нанесен определенный вид металлизации: для эвтектической пайки V-Au; для пайки легкоплавким припоем и для клеевой композиции Ti-Ni-Ag. После нанесения металлизации пластины подвергались разделению на кристаллы на автомате ЭМ-2005, затем осуществлялся монтаж каждой группы кристаллов соответствующим методом в зависимости от вида металлизации.
Методика сравнительной оценки эффективности монтажа кристаллов
Поэтому в производстве MOSFET актуальной задачей является проведение исследований технологических операций сборки с последующей оптимизацией параметров процессов, обеспечивающих высокую надежность изделий.
«кристалл кристаллодержатель», вызывая перегрев активной структуры и ухудшение электрических параметров транзисторов.
Формирование неоднородностей в эвтектическом слое под кристаллом (несплошности эвтектики, микротрещины и т. п.) приводит к изменению тепло-электрического состояния прибора. Скорость дегра-дационных процессов экспоненциально возрастает при увеличении температуры и локализуется в областях микронеоднородностей на границе раздела
Известно, что даже малые отклонения от оптимального технологического процесса могут привести в процессе производства и при длительном хранении к существенным изменениям значений выходных электрических параметров. Чтобы избежать этого, для оптимизации технологического процесса применяют активные методы исследования и контроля. Важнейшую роль в формировании качества MOSFET на стадии сборки играет операция монтажа кристаллов в корпус [2]. Наличие высоких температур в процессе монтажа кристаллов и значительное различие в ТКЛР используемых материалов обуславливают возникновение термических напряжений в кристалле, как в процессе сборки, так и в процессе эксплуатации, особенно при термоциклических воздействиях.
Мощные металлооксидные полупроводниковые полевые транзисторы (MOSFET) в силу уникальных характеристик по сравнению с биполярными транзисторами, а именно наносекундной скорости переключения, высоких рабочих напряжений и температур, больших токов и значительной мощности. получают все более широкое применение в силовой электронике [1]. Современный этап производства MOSFET характеризуется непрерывным повышением требований к качеству и надежности. Надежность во многом зависит от того, насколько управляем технологический процесс, что в свою очередь связано с воспроизводимостью отдельных технологических операций в непрерывном процессе производства. Управляемость процессом становится целенаправленной, если известна зависимость значений выходных параметров изделий от их значений на отдельных операциях.
Основные требования к монтажу кристаллов MOSFET
Исследованы способы монтажа MOSFET силовых транзисторов средней мощности эвтектической пайкой, пайкой легкоплавкими припоями, клеевой композицией и показано их влияние на тепловое сопротивление перехода кристалл корпус, структуру соединений и выход годных изделий.
Сравнительная характеристика способов монтажа кристаллов MOSFET силовых транзисторов
Силовая электроника 4'2008
Your browser doesn't support objects Your browser doesn't support objects
Your browser doesn't support objects Your browser doesn't support objects
Your browser doesn't support objects Your browser doesn't support objects
Your browser doesn't support objects Your browser doesn't support objects
Сравнительная характеристика способов монтажа кристаллов MOSFET силовых транзисторов
Комментариев нет:
Отправить комментарий